JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies SI4410DY 1 N-Kanal 2.5 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162881 - 62
Teile-Nr.: SI4410DY |  EAN: 2050000044816
Abbildung ähnlich
  • € 0,60
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 13.12 bis 14.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SI4410DY
    Gehäuse
    SO‑8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    10 A
    U
    30 V
    Ptot
    2.5 W
    R(DS)(on)
    13.5 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    10 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    60 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1350 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    PowerTrench®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, SI4410DY, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet