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MOSFET Infineon Technologies SI4435DY 1 P-Kanal 1 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162883 - 62
Teile-Nr.: SI4435DY |  EAN: 2050000044830
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  • € 0,64
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 07.12 bis 08.12.2016

    HEXFET/FETKY

    Technische Daten

    Typ
    SI4435DY
    Gehäuse
    SO‑8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    P‑Kanal
    I(d)
    8.8 A
    U
    30 V
    Ptot
    1 W
    R(DS)(on)
    20 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    8.8 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    3 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    24 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    5 V
    C(ISS)
    1604 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    PowerTrench®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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