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MOSFET Infineon Technologies SI4435DYPBF 1 P-Kanal 2.5 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564205 - 62
Teile-Nr.: SI4435DYPBF |  EAN: 2050003204859
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    • Typ: SI4435DYPBF
    • Gehäuse: SOIC-8
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: P-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SI4435DYPBF
    Gehäuse
    SOIC-8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    P-Kanal
    U
    30 V
    Ptot
    2.5 W
    R(DS)(on)
    20 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    8 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    60 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    2320 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

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