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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFB110N60P3 1 N-Kanal 1890 W PLUS-264

IXYS
Bestell-Nr.: 564262 - 62
Teile-Nr.: IXFB110N60P3 |  EAN: 2050003205399
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  • € 29,99
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IXFB110N60P3
    Gehäuse
    PLUS‑264
    Hersteller
    IXYS
    Herst.-Abk.
    IXY
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    110 A
    U
    600 V
    Ptot
    1890 W
    R(DS)(on)
    56 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    55 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    8 mA
    Q(G)
    245 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    18000 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HiPerFET™
    Polar3™
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    600 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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