JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFK78N50P3 1 N-Kanal 1130 W TO-264-3

IXYS
Bestell-Nr.: 564288 - 62
Teile-Nr.: IXFK78N50P3 |  EAN: 2050003205641
Abbildung ähnlich
  • € 17,99
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Lieferung in 2 Wochen

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IXFK78N50P3
    Gehäuse
    TO‑264‑3
    Hersteller
    IXYS
    Herst.-Abk.
    IXY
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    78 A
    U
    500 V
    Ptot
    1130 W
    R(DS)(on)
    68 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    500 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    4 mA
    Q(G)
    147 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    9900 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HiPerFET™
    Polar3™
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    500 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, anreicherungstyp, IXYS, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, IXFK78N50P3, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, IXFK78N50P3-ND, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
    Ähnliche Produkte