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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFR80N50Q3 1 N-Kanal 570 W ISOPLUS-247

IXYS
Bestell-Nr.: 564306 - 62
Teile-Nr.: IXFR80N50Q3 |  EAN: 2050003205825
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  • € 39,99
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IXFR80N50Q3
    Gehäuse
    ISOPLUS‑247
    Hersteller
    IXYS
    Herst.-Abk.
    IXY
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    50 A
    U
    500 V
    Ptot
    570 W
    R(DS)(on)
    72 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    40 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    6.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    8 mA
    Q(G)
    200 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    10000 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HiPerFET™
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    500 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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