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MOSFET IXYS IXFT18N100Q3 1 N-Kanal 830 W TO-268

IXYS
Bestell-Nr.: 564307 - 62
Teile-Nr.: IXFT18N100Q3 |  EAN: 2050003205832
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  • € 25,99
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IXFT18N100Q3
    Gehäuse
    TO‑268
    Hersteller
    IXYS
    Herst.-Abk.
    IXY
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    18 A
    U
    1000 V
    Ptot
    830 W
    R(DS)(on)
    660 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    9 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    6.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    4 mA
    Q(G)
    90 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    4890 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HiPerFET™
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    1000 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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