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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXTP75N10P 1 N-Kanal 360 W TO-220

IXYS
Bestell-Nr.: 564319 - 62
Teile-Nr.: IXTP75N10P |  EAN: 2050003205948
Abbildung ähnlich
  • € 5,59
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IXTP75N10P
    Gehäuse
    TO‑220
    Hersteller
    IXYS
    Herst.-Abk.
    IXY
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    75 A
    U
    100 V
    Ptot
    360 W
    R(DS)(on)
    25 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    500 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    74 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    2250 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    PolarHT™
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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