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MOSFET NXP Semiconductors BSP250GEG 1 P-Kanal 1.65 W SOT-223

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 150848 - 62
Teile-Nr.: BSP250GEG |  EAN: 2050000011627
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 25.08 bis 26.08.2017
    • Typ: BSP250GEG
    • Gehäuse: SOT-223
    • Hersteller: NXP Semiconductors
    • Herst.-Abk.: NXP
    • Ausführung: P-Kanal

    MOSFET (≤ 1 W)

    Technische Daten

    Typ
    BSP250GEG
    Gehäuse
    SOT-223
    Hersteller
    NXP Semiconductors
    Herst.-Abk.
    NXP
    Ausführung
    P-Kanal
    I(d)
    3 A
    U
    30 V
    Ptot
    1.65 W
    R(DS)(on)
    250 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    1 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.8 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    1 mA
    Q(G)
    25 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    250 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    20 V
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

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