JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET STMicroelectronics STP45N10F7 1 N-Kanal 60 W TO-220

STMicroelectronics
Bestell-Nr.: 564745 - 62
Teile-Nr.: STP45N10F7 |  EAN: 2050003209960
Abbildung ähnlich
  • € 9,29
    Sie sparen € 5,20
    € 4,09
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Lieferung in 2 Wochen

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    STP45N10F7
    Gehäuse
    TO‑220
    Hersteller
    STMicroelectronics
    Herst.-Abk.
    STM
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    45 A
    U
    100 V
    Ptot
    60 W
    R(DS)(on)
    18 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    22.5 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    25 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1640 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    DeepGATE™
    STripFET™ VII
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Kunden suchen auch nach
    STP45N10F7, transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, 497-14573-5-ND, Junction fet, source, selbstleitend, STMicroelectronics, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet