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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay 2N7002-T1-E3 1 N-Kanal 200 mW SOT-23

Vishay
Bestell-Nr.: 597109 - 62
Teile-Nr.: 2N7002-T1-E3 |  EAN: 2050003222020
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    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    2N7002‑T1‑E3
    Gehäuse
    SOT‑23
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    115 mA
    U
    60 V
    Ptot
    200 mW
    R(DS)(on)
    7.5 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    500 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    C(ISS)
    50 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    60 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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