JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay IRF710PBF 1 N-Kanal 36 W TO-220AB

Vishay
Bestell-Nr.: 162429 - 62
Teile-Nr.: IRF710PBF |  EAN: 2050000041204
Abbildung ähnlich
  • € 0,56
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 09.12 bis 10.12.2016

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF710PBF
    Gehäuse
    TO‑220AB
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    2 A
    U
    400 V
    Ptot
    36 W
    R(DS)(on)
    3.6 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    1.2 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    17 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    170 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    400 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

    Kunden suchen auch nach
    IRF710PBF, transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, IRF710-ND, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet