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MOSFET Vishay IRFBG30PBF 1 N-Kanal 125 W TO-220

Vishay
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2015-10-20T17:21:07.876-05:00
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  • cp-1, bvpage1
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  • loc_en_US, sid_162578, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 162578 - 62
Teile-Nr.: IRFBG30PBF |  EAN: 2050000042362
Abbildung ähnlich
  • € 1,19
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 07.12 bis 08.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRFBG30PBF
    Gehäuse
    TO‑220
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    3.1 A
    U
    1000 V
    Ptot
    125 W
    R(DS)(on)
    5 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    1.9 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    80 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    980 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    1000 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, IRFBG30PBF, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, IRFBG30PBF-ND, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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    • 2015-10-20T17:21:07.876-05:00
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