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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay IRFPC50 1 N-Kanal 180 W TO-247

Vishay
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2015-10-20T17:20:46.626-05:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_162665, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 162665 - 62
Teile-Nr.: IRFPC50 |  EAN: 2050000043116
Abbildung ähnlich
  • € 5,09
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 07.12 bis 08.12.2016

    MOSFET (HEXFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRFPC50
    Gehäuse
    TO‑247
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    11 A
    U
    600 V
    Ptot
    180 W
    R(DS)(on)
    600 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    140 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    2700 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    600 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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    Rated 5 out of 5 Hexfet Erfüllt die Erwartungen. Einzieg die Pin's passen nicht exakt ins DIN Raster 21. Jänner 2013
    • 2015-10-20T17:20:46.626-05:00
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