JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2301BDS-T1-E3 1 P-Kanal 700 mW SOT-23-3

Vishay
Bestell-Nr.: 597292 - 62
Teile-Nr.: SI2301BDS-T1-E3 |  EAN: 2050003223584
Abbildung ähnlich
  • € 0,66
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 07.12 bis 08.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SI2301BDS‑T1‑E3
    Gehäuse
    SOT‑23‑3
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    P‑Kanal
    I(d)
    2.2 A
    U
    20 V
    Ptot
    700 mW
    R(DS)(on)
    100 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    2.8 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    0.95 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    10 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    375 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    6 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    TrenchFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    20 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Kunden suchen auch nach
    SI2301BDS-T1-E3CT-ND, transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, SI2301BDS-T1-E3, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
    Ähnliche Produkte