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MOSFET Vishay SI2319DS-T1-E3 1 P-Kanal 750 mW SOT-23-3

Vishay
Bestell-Nr.: 597305 - 62
Teile-Nr.: SI2319DS-T1-E3 |  EAN: 2050003223706
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    • Typ: SI2319DS-T1-E3
    • Gehäuse: SOT-23-3
    • Hersteller: Vishay
    • Herst.-Abk.: VIS
    • Ausführung: P-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SI2319DS-T1-E3
    Gehäuse
    SOT-23-3
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    P-Kanal
    I(d)
    2.3 A
    U
    40 V
    Ptot
    750 mW
    R(DS)(on)
    82 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    3 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    3 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    17 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    470 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    20 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    TrenchFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    40 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

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