JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI3460BDV-T1-E3 1 N-Kanal 3.5 W TSOP-6

Vishay
Bestell-Nr.: 597319 - 62
Teile-Nr.: SI3460BDV-T1-E3 |  EAN: 2050003223812
Abbildung ähnlich
  • € 1,49
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Lieferung in 2 Wochen

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SI3460BDV‑T1‑E3
    Gehäuse
    TSOP‑6
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    8 A
    U
    20 V
    Ptot
    3.5 W
    R(DS)(on)
    27 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    5.1 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    24 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    8 V
    C(ISS)
    860 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    10 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    TrenchFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    20 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, SI3460BDV-T1-E3CT-ND, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, SI3460BDV-T1-E3, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
    Ähnliche Produkte