JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4134DY-T1-GE3 1 N-Kanal 5 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597324 - 62
Teile-Nr.: SI4134DY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223867
Abbildung ähnlich
  • € 1,39
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 14.12 bis 15.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SI4134DY‑T1‑GE3
    Gehäuse
    SOIC‑8
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    14 A
    U
    30 V
    Ptot
    5 W
    R(DS)(on)
    14 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    10 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    23 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    846 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    TrenchFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, SI4134DY-T1-GE3, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, SI4134DY-T1-GE3CT-ND, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
    Ähnliche Produkte