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MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3 1 P-Kanal 5 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597332 - 62
Teile-Nr.: SI4435DDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003223942
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SI4435DDY‑T1‑GE3
    Gehäuse
    SOIC‑8
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    P‑Kanal
    I(d)
    11.4 A
    U
    30 V
    Ptot
    5 W
    R(DS)(on)
    24 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    9.1 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    3 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    50 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1350 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    TrenchFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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