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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI4800BDY-T1-E3 1 N-Kanal 1.3 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 597336 - 62
Teile-Nr.: SI4800BDY-T1-E3 |  EAN: 2050003223980
Abbildung ähnlich
  • € 1,19
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 08.12 bis 09.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SI4800BDY‑T1‑E3
    Gehäuse
    SOIC‑8
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    6.5 A
    U
    30 V
    Ptot
    1.3 W
    R(DS)(on)
    18.5 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    9 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    1.8 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    13 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    5 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    TrenchFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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