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MOSFET Vishay SI9933CDY-T1-GE3 2 P-Kanal 3.1 W SOIC-8

Vishay
Bestell-Nr.: 598152 - 62
Teile-Nr.: SI9933CDY-T1-GE3 |  EAN: 2050003224369
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 29.05 bis 30.05.2018
    • Typ: SI9933CDY-T1-GE3
    • Gehäuse: SOIC-8
    • Hersteller: Vishay
    • Herst.-Abk.: VIS
    • Ausführung: P-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SI9933CDY-T1-GE3
    Gehäuse
    SOIC-8
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    P-Kanal
    I(d)
    4 A
    U
    20 V
    Ptot
    3.1 W
    R(DS)(on)
    58 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    4.8 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    1.4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    26 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    665 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    10 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -50 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    TrenchFET®
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    20 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    2
    RoHS-konform
    Ja

    Dokumente & Downloads

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