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MOSFET Vishay SIA416DJ-T1-GE3 1 N-Kanal 19 W SC-70-6

Vishay
Bestell-Nr.: 598153 - 62
Teile-Nr.: SIA416DJ-T1-GE3 |  EAN: 2050003224376
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SIA416DJ‑T1‑GE3
    Gehäuse
    SC‑70‑6
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    11.3 A
    U
    100 V
    Ptot
    19 W
    R(DS)(on)
    83 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    3.2 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    3 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    10 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    295 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    TrenchFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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