JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}
{{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Checkout' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Cart' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Direct Order' " }}
Direktbestellung:
Es konnte kein Artikel gefunden werden.
Der gewünschte Artikel ist leider nicht verfügbar.

Direktbestellung / Artikelliste (BOM) hochladen

Geben Sie einfach die Bestellnummer in das obige Feld ein und die Artikel werden direkt in Ihren Einkaufswagen gelegt.

Sie möchten mehrere Artikel bestellen?
Mit unserem Artikellisten-Upload können Sie einfach Ihre eigene Artikelliste hochladen und Ihre Artikel gesammelt in den Einkaufswagen legen.
{{/xif}} {{/xif}} {{/xif}}

MOSFET Vishay SIA429DJT-T1-GE3 1 P-Kanal 19 W SC-70-6

Vishay
Bestell-Nr.: 598156 - 62
Teile-Nr.: SIA429DJT-T1-GE3 |  EAN: 2050003224383
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Vishay SIA429DJT-T1-GE3 1 P-Kanal 19 W SC-70-6
  • € 1,09
    (Sie sparen € 0,30)
    € 0,79
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Menge in Stück Preis Ersparnis
    1 € 0,79 --
    10 € 0,75 5% = € 0,40
    25 € 0,71 10% = € 2,00
    50 € 0,67 15% = € 6,00
    Lieferung in 2 Wochen
    • Typ: SIA429DJT-T1-GE3
    • Gehäuse: SC-70-6
    • Hersteller: Vishay
    • Herst.-Abk.: VIS
    • Ausführung: P-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SIA429DJT-T1-GE3
    Gehäuse
    SC-70-6
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    P-Kanal
    I(d)
    12 A
    U
    20 V
    Ptot
    19 W
    R(DS)(on)
    20.5 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    62 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    8 V
    C(ISS)
    1750 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    10 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    TrenchFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    20 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    RoHS-konform
    Ja

    Dokumente & Downloads

    Ähnliche Produkte
    Nach oben