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MOSFET Vishay SIA429DJT-T1-GE3 1 P-Kanal 19 W SC-70-6

Vishay
Bestell-Nr.: 598156 - 62
Teile-Nr.: SIA429DJT-T1-GE3 |  EAN: 2050003224383
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    • Typ: SIA429DJT-T1-GE3
    • Gehäuse: SC-70-6
    • Hersteller: Vishay
    • Herst.-Abk.: VIS
    • Ausführung: P-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SIA429DJT-T1-GE3
    Gehäuse
    SC-70-6
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    P-Kanal
    I(d)
    12 A
    U
    20 V
    Ptot
    19 W
    R(DS)(on)
    20.5 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    62 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    8 V
    C(ISS)
    1750 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    10 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    TrenchFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    20 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

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