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MOSFET Vishay SIHB12N60E-GE3 1 N-Kanal 147 W TO-263-3

Vishay
Bestell-Nr.: 598159 - 62
Teile-Nr.: SIHB12N60E-GE3 |  EAN: 2050003224390
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  • € 3,49
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 08.12 bis 09.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SIHB12N60E‑GE3
    Gehäuse
    TO‑263‑3
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    12 A
    U
    600 V
    Ptot
    147 W
    R(DS)(on)
    380 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    58 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    937 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    100 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    600 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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