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MOSFET Vishay SIHB30N60E-GE3 1 N-Kanal 250 W TO-263-3

Vishay
Bestell-Nr.: 598179 - 62
Teile-Nr.: SIHB30N60E-GE3 |  EAN: 2050003224420
Abbildung ähnlich
  • € 10,99
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    SIHB30N60E‑GE3
    Gehäuse
    TO‑263‑3
    Hersteller
    Vishay
    Herst.-Abk.
    VIS
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    29 A
    U
    600 V
    Ptot
    250 W
    R(DS)(on)
    125 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    15 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    130 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    2600 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    100 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    600 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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