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TRANS.HEXFET P.-MOSFET IRF7831 SO-8 INF

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 164357 - 62
Teile-Nr.: IRF7831 |  EAN: 2050000053023
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    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Lieferung: 08.12 bis 09.12.2016

    Technische Daten

    Kategorie
    MOSFET
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Kanäle
    1
    C(ISS)
    6240 pF
    Q(G)
    60 nC
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Transistor-Merkmal
    Standard
    Herst.-Abk.
    INF
    R(DS)(on)
    3.6 mΩ
    U(GS)(th) max.
    2.35 V
    Gehäuse
    SOIC‑8
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    U
    30 V
    U(DSS)
    30 V
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    20 A
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    I(d)
    21 A
    Serie
    HEXFET®
    Ptot
    2.5 W
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    Target 3001!
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Ausführung
    N‑Kanal

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details