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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140566 - 62
Teile-Nr.: IMH11AT110 |  EAN: 2050001282163
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor IMH11AT110 SMT6 2 NPN - vorgespannt
  • € 0,22
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    Transistor bipolar

    Technische Daten

    Typ
    IMH11AT110
    Gehäuse
    SMT6
    Hersteller
    ROHM Semiconductor
    Herst.-Abk.
    ROH
    Kategorie
    Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
    Kanäle
    2
    Ausführung
    NPN - vorgespannt
    IC
    100 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    50 V
    VCE Sättigung (max.)
    300 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    500 nA
    Ptot
    300 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    30
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    5 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    250 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Beschreibung

    Doppel Transistor.
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