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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMD6NTR UMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140591 - 62
Teile-Nr.: UMD6NTR |  EAN: 2050001282392
  • Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMD6NTR UMT6 1 NPN - vorgespannt, PNP - vorgespannt
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 23.09 bis 25.09.2017
    • Typ: UMD6NTR
    • Gehäuse: UMT6
    • Hersteller: ROHM Semiconductor
    • Herst.-Abk.: ROH
    • Kategorie: Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung

    Transistor bipolar

    Technische Daten

    Typ
    UMD6NTR
    Gehäuse
    UMT6
    Hersteller
    ROHM Semiconductor
    Herst.-Abk.
    ROH
    Kategorie
    Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN - vorgespannt
    PNP - vorgespannt
    IC
    -100 mA
    +100 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    -50 V
    +50 V
    VCE Sättigung (max.)
    -300 mV
    +300 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    -500 nA
    +500 nA
    Ptot
    150 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    100
    100
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    -1 mA
    +1 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    -5 V
    +5 V
    Transitfrequenz f(T)
    250 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Beschreibung

    Doppel Digital Transistor.
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