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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMH11NTN UMT6 2 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140592 - 62
Teile-Nr.: UMH11NTN |  EAN: 2050001282408
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMH11NTN UMT6 2 NPN - vorgespannt
  • € 0,21
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 07.12 bis 08.12.2016

    Transistor bipolar

    Technische Daten

    Typ
    UMH11NTN
    Gehäuse
    UMT6
    Hersteller
    ROHM Semiconductor
    Herst.-Abk.
    ROH
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ Arrays, Vorspannung
    Kanäle
    2
    Ausführung
    NPN ‑ vorgespannt
    IC
    100 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    50 V
    VCE Sättigung (max.)
    300 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    500 nA
    Ptot
    150 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    30
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    5 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    250 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Beschreibung

    Doppel Digital Transistor.
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