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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMH3NTN UMT6 2 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140593 - 62
Teile-Nr.: UMH3NTN |  EAN: 2050001282415
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMH3NTN UMT6 2 NPN - vorgespannt
  • € 0,22
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    Transistor bipolar

    Technische Daten

    Typ
    UMH3NTN
    Gehäuse
    UMT6
    Hersteller
    ROHM Semiconductor
    Herst.-Abk.
    ROH
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ Arrays, Vorspannung
    Kanäle
    2
    Ausführung
    NPN ‑ vorgespannt
    IC
    100 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    50 V
    VCE Sättigung (max.)
    300 mV
    Ptot
    150 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    100
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    1 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    250 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Beschreibung

    Doppel Digital Transistor.
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