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Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMH4NTN UMT6 2 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140594 - 62
Teile-Nr.: UMH4NTN |  EAN: 2050001282422
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung ROHM Semiconductor UMH4NTN UMT6 2 NPN - vorgespannt

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Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
UMH4NTN
Gehäuse
UMT6
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ Arrays, Vorspannung
Kanäle
2
Ausführung
NPN ‑ vorgespannt
IC
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
VCE Sättigung (max.)
300 mV
Ptot
150 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
100
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Beschreibung

Doppel Digital Transistor.
Kunden suchen auch nach
Transfer Resistor, UMH4NTN, Darlington-Transistor, Bipolartransistor, IGBT, npn, transistor treiber ic, Transistor, pnp, tran-sistor, Germanium-transistor, isolated gate bipolar transistor, ROHM Semiconductor, el transistor, bipolar-transisrtor, selen-Transistor, silizium-transistor
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