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Transistor (BJT) - diskret DIODES Incorporated MMST5551-7-F SOT-323 1 NPN

DIODES Incorporated
Bestell-Nr.: 563536 - 62
Teile-Nr.: MMST5551-7-F |  EAN: 2050003198493
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    • Typ: MMST5551-7-F
    • Gehäuse: SOT-323
    • Hersteller: DIODES Incorporated
    • Herst.-Abk.: DIn
    • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret

    Transistor

    Technische Daten

    Typ
    MMST5551-7-F
    Gehäuse
    SOT-323
    Hersteller
    DIODES Incorporated
    Herst.-Abk.
    DIn
    Kategorie
    Transistor (BJT) - diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN
    IC
    200 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    160 V
    VCE Sättigung (max.)
    200 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    50 nA
    Ptot
    200 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    80
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    10 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    300 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

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