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Transistor (BJT) - diskret DIODES Incorporated ZXT13N50DE6TA SOT-26 1 NPN

DIODES Incorporated
Bestell-Nr.: 563713 - 62
Teile-Nr.: ZXT13N50DE6TA |  EAN: 2050003200202
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    • Typ: ZXT13N50DE6TA
    • Gehäuse: SOT-26
    • Hersteller: DIODES Incorporated
    • Herst.-Abk.: DIn
    • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret

    Transistor

    Technische Daten

    Typ
    ZXT13N50DE6TA
    Gehäuse
    SOT-26
    Hersteller
    DIODES Incorporated
    Herst.-Abk.
    DIn
    Kategorie
    Transistor (BJT) - diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN
    IC
    4 A
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    50 V
    VCE Sättigung (max.)
    180 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    100 nA
    Ptot
    1.1 W
    DC Stromverstärkung (hFE)
    300
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    1 A
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    2 V
    Transitfrequenz f(T)
    115 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

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