JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Transistor (BJT) - diskret Infineon Technologies BC817K-40E6327 SOT-23-3 1 NPN

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153076 - 62
Teile-Nr.: BC817K-40E6327 |  EAN: 2050000020636
Abbildung ähnlich
Technische Illustration

Es ist ein Fehler aufgetreten.

Ihre Anfrage konnte nicht bearbeitet werden. Bitte überprüfen Sie Ihre Eingabe und versuchen es erneut. Andernfalls wenden Sie sich bitte an webmaster@conrad.at

NF-Transistor

Technische Daten

Typ
BC817K‑40E6327
Gehäuse
SOT‑23‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ diskret
Kanäle
1
Ausführung
NPN
IC
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
VCE Sättigung (max.)
700 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
Ptot
330 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
250
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
100 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
1 V
Transitfrequenz f(T)
170 MHz
Montageart
Oberflächenmontage
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Beschreibung

NPN-Transistor (8 mm-Gurt)
Kunden suchen auch nach
Transfer Resistor, Darlington-Transistor, Bipolartransistor, IGBT, npn, transistor treiber ic, BC817K-40E6327, Transistor, pnp, tran-sistor, Germanium-transistor, isolated gate bipolar transistor, el transistor, bipolar-transisrtor, selen-Transistor, Infineon Technologies, silizium-transistor