JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Transistor (BJT) - diskret Infineon Technologies BC817K-40E6327 SOT-23-3 1 NPN

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153076 - 62
Teile-Nr.: BC817K-40E6327 |  EAN: 2050000020636
Abbildung ähnlich
Technische Illustration
  • € 0,26
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 28.03 bis 29.03.2017

    NF-Transistor

    Technische Daten

    Typ
    BC817K‑40E6327
    Gehäuse
    SOT‑23‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN
    IC
    500 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    45 V
    VCE Sättigung (max.)
    700 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    100 nA
    Ptot
    330 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    250
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    100 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    1 V
    Transitfrequenz f(T)
    170 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Beschreibung

    NPN-Transistor (8 mm-Gurt)
    Kunden suchen auch nach
    selen-Transistor, silizium-transistor, isolated gate bipolar transistor, tran-sistor, Transistor, Germanium-transistor, el transistor, Infineon Technologies, Bipolartransistor, npn, Darlington-Transistor, Transfer Resistor, IGBT, pnp, bipolar-transisrtor, BC817K-40E6327, transistor treiber ic