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Transistor (BJT) - diskret Infineon Technologies BCV47E6327 SOT-23-3 1 NPN - Darlington

Infineon Technologies
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2015-10-20T17:21:42.911-05:00
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  • loc_en_US, sid_152975, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 152975 - 62
Teile-Nr.: BCV47E6327 |  EAN: 2050000019913
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    • Typ: BCV47E6327
    • Gehäuse: SOT-23-3
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret

    NPN-Transistor

    Technische Daten

    Typ
    BCV47E6327
    Gehäuse
    SOT-23-3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Kategorie
    Transistor (BJT) - diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN - Darlington
    IC
    500 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    60 V
    VCE Sättigung (max.)
    1 V
    Kollektor Reststrom I(CES)
    100 nA
    Ptot
    360 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    10000
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    100 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    170 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Beschreibung

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