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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Transistor (BJT) - diskret Infineon Technologies BCX41E6327 SOT-23-3 1 NPN

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153160 - 62
Teile-Nr.: BCX41E6327 |  EAN: 2050000021213
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  • € 0,18
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 21.02 bis 22.02.2017

    NF-Transistor

    Technische Daten

    Typ
    BCX41E6327
    Gehäuse
    SOT‑23‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN
    IC
    800 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    125 V
    VCE Sättigung (max.)
    900 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    10 µA
    Ptot
    330 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    40
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    200 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    1 V
    Transitfrequenz f(T)
    100 MHz
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

    Beschreibung

    NPN-Transistor (8 mm-Gurt) .
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