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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor 2N5886G TO-3 1 NPN

ON Semiconductor
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  • 2015-10-20T17:23:06.143-05:00
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  • loc_en_US, sid_151090, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 151090 - 62
Teile-Nr.: 2N5886G |  EAN: 2050000012822
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    • Typ: 2N5886G
    • Gehäuse: TO-3
    • Hersteller: ON Semiconductor
    • Herst.-Abk.: OnS
    • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret

    Bipolar-Standard-Leistungstransistor

    Technische Daten

    Typ
    2N5886G
    Gehäuse
    TO-3
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Herst.-Abk.
    OnS
    Kategorie
    Transistor (BJT) - diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN
    IC
    25 A
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    80 V
    VCE Sättigung (max.)
    4 V
    Kollektor Reststrom I(CES)
    2 mA
    Ptot
    200 W
    DC Stromverstärkung (hFE)
    20
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    10 A
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    4 V
    Transitfrequenz f(T)
    4 MHz
    Montageart
    Durchführungsloch

    Dokumente & Downloads

    Hinweis
    Hinweis:Hersteller SIE=INF,HAR=FSC,MOT=ONS.
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