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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor 2N5886G TO-3 1 NPN

ON Semiconductor
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2015-10-20T17:23:06.143-05:00
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Bestell-Nr.: 151090 - 62
Teile-Nr.: 2N5886G |  EAN: 2050000012822
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 29.03 bis 30.03.2017

    Bipolar-Standard-Leistungstransistor

    Technische Daten

    Typ
    2N5886G
    Gehäuse
    TO‑3
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Herst.-Abk.
    OnS
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN
    IC
    25 A
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    80 V
    VCE Sättigung (max.)
    4 V
    Kollektor Reststrom I(CES)
    2 mA
    Ptot
    200 W
    DC Stromverstärkung (hFE)
    20
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    10 A
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    4 V
    Transitfrequenz f(T)
    4 MHz
    Montageart
    Durchführungsloch

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Hinweis
    Hinweis:Hersteller SIE=INF,HAR=FSC,MOT=ONS.
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    Rated 5 out of 5 by Maschinenservice Sailer Alles bestens gelaufen. Schneller als versprochen geliefert, Abwicklung easy..... 31. Mai 2011
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