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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor BD810G TO-220AB 1 PNP

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 156418 - 62
Teile-Nr.: BD810G |  EAN: 2050000038365
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  • € 0,70
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 09.12 bis 10.12.2016

    Bipolar-Standard-Leistungstransistor

    Technische Daten

    Typ
    BD810G
    Gehäuse
    TO‑220AB
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Herst.-Abk.
    OnS
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    PNP
    IC
    ‑10 A
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    ‑80 V
    VCE Sättigung (max.)
    ‑1.1 V
    Kollektor Reststrom I(CES)
    ‑1 mA
    Ptot
    90 W
    DC Stromverstärkung (hFE)
    15
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    ‑4 A
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    ‑2 V
    Transitfrequenz f(T)
    1.5 MHz
    Montageart
    Durchführungsloch
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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