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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington

ON Semiconductor
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  • 2015-10-20T17:22:41.414-05:00
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  • loc_en_US, sid_151333, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 151333 - 62
Teile-Nr.: MJ11015G |  EAN: 2050000013782
Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington
  • € 4,59
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 25.02 bis 27.02.2017

    Darlington Transistor

    Technische Daten

    Typ
    MJ11015G
    Gehäuse
    TO‑3
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Herst.-Abk.
    OnS
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    PNP ‑ Darlington
    IC
    ‑30 A
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    ‑120 V
    VCE Sättigung (max.)
    ‑4 V
    Kollektor Reststrom I(CES)
    ‑1 mA
    Ptot
    200 W
    DC Stromverstärkung (hFE)
    1000
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    ‑20 A
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    ‑5 V
    Transitfrequenz f(T)
    4 MHz
    Montageart
    Durchführungsloch
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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