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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor MJ11016G TO-3 1 NPN - Darlington

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 151307 - 62
Teile-Nr.: MJ11016G |  EAN: 2050000013713
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  • € 5,59
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 10.12 bis 12.12.2016

    Darlington Leistungstransistor

    Technische Daten

    Typ
    MJ11016G
    Gehäuse
    TO‑3
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Herst.-Abk.
    OnS
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN ‑ Darlington
    IC
    30 A
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    120 V
    VCE Sättigung (max.)
    4 V
    Kollektor Reststrom I(CES)
    1 mA
    Ptot
    200 W
    DC Stromverstärkung (hFE)
    1000
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    20 A
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    4 MHz
    Montageart
    Durchführungsloch
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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