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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor MJ11016G TO-3 1 NPN - Darlington

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 151307 - 62
Teile-Nr.: MJ11016G |  EAN: 2050000013713
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    • Typ: MJ11016G
    • Gehäuse: TO-3
    • Hersteller: ON Semiconductor
    • Herst.-Abk.: OnS
    • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret

    Darlington Leistungstransistor

    Technische Daten

    Typ
    MJ11016G
    Gehäuse
    TO-3
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Herst.-Abk.
    OnS
    Kategorie
    Transistor (BJT) - diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN - Darlington
    IC
    30 A
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    120 V
    VCE Sättigung (max.)
    4 V
    Kollektor Reststrom I(CES)
    1 mA
    Ptot
    200 W
    DC Stromverstärkung (hFE)
    1000
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    20 A
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    4 MHz
    Montageart
    Durchführungsloch

    Dokumente & Downloads

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