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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor MJE18004G TO-220AB 1 NPN

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 151029 - 62
Teile-Nr.: MJE18004G |  EAN: 2050000012556
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  • € 2,39
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 07.12 bis 08.12.2016

    Leistungs-Schalttransistor

    Technische Daten

    Typ
    MJE18004G
    Gehäuse
    TO‑220AB
    Hersteller
    ON Semiconductor
    Herst.-Abk.
    OnS
    Kategorie
    Transistor (BJT) ‑ diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN
    IC
    5 A
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    450 V
    VCE Sättigung (max.)
    750 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    100 µA
    Ptot
    75 W
    Serie
    SWITCHMODE™
    DC Stromverstärkung (hFE)
    14
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    300 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    13 MHz
    Montageart
    Durchführungsloch
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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