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Transistor (BJT) - diskret Toshiba S2000N TO-3PIS 1 NPN

Toshiba
Bestell-Nr.: 168840 - 62
Teile-Nr.: S2000N |  EAN: 2050000055720
Transistor (BJT) - diskret Toshiba S2000N TO-3PIS 1 NPN
Transistor (BJT) - diskret Toshiba S2000N TO-3PIS 1 NPN
  • € 1,49
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 24.05 bis 26.05.2017

    Darlington Leistungstransistor

    Technische Daten

    Typ
    S2000N
    Gehäuse
    TO-3PIS
    Hersteller
    Toshiba
    Kategorie
    Transistor (BJT) - diskret
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN
    IC
    8 A
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    5 V
    VCE Sättigung (max.)
    5 V
    Ptot
    50 W
    DC Stromverstärkung (hFE)
    30
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    1 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    2 MHz
    Montageart
    Durchführungsloch

    Dokumente & Downloads

    Beschreibung

    Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = FRE.