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Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTB113ZKT146 TO-236-3 1 PNP - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140519 - 62
Teile-Nr.: DTB113ZKT146 |  EAN: 2050001281715
  • Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTB113ZKT146 TO-236-3 1 PNP - vorgespannt
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    • Typ: DTB113ZKT146
    • Gehäuse: TO-236-3
    • Hersteller: ROHM Semiconductor
    • Herst.-Abk.: ROH
    • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung

    Transistor bipolar

    Technische Daten

    Typ
    DTB113ZKT146
    Gehäuse
    TO-236-3
    Hersteller
    ROHM Semiconductor
    Herst.-Abk.
    ROH
    Kategorie
    Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
    Kanäle
    1
    Ausführung
    PNP - vorgespannt
    IC
    -500 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    -50 V
    VCE Sättigung (max.)
    -300 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    -500 nA
    Ptot
    200 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    56
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    -50 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    -5 V
    Transitfrequenz f(T)
    200 MHz
    Widerstand R(1)
    1 kΩ
    Widerstand R(2)
    10 kΩ
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Beschreibung

    Digital Transitor PNP mit BIAS Widerstand.
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