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Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTC123JKAT146 TO-236-3 1 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140523 - 62
Teile-Nr.: DTC123JKAT146 |  EAN: 2050001281746
  • Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTC123JKAT146 TO-236-3 1 NPN - vorgespannt
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    • Typ: DTC123JKAT146
    • Gehäuse: TO-236-3
    • Hersteller: ROHM Semiconductor
    • Herst.-Abk.: ROH
    • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung

    Transistor bipolar

    Technische Daten

    Typ
    DTC123JKAT146
    Gehäuse
    TO-236-3
    Hersteller
    ROHM Semiconductor
    Herst.-Abk.
    ROH
    Kategorie
    Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
    Kanäle
    1
    Ausführung
    NPN - vorgespannt
    IC
    100 mA
    Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
    50 V
    VCE Sättigung (max.)
    300 mV
    Kollektor Reststrom I(CES)
    500 nA
    Ptot
    200 mW
    DC Stromverstärkung (hFE)
    80
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
    10 mA
    DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
    5 V
    Transitfrequenz f(T)
    250 MHz
    Widerstand R(1)
    2.2 kΩ
    Widerstand R(2)
    47 kΩ
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Beschreibung

    Digital Transistor NPN mit BIAS Widerstand.
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