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Z-Diode C8,2V ZB Gehäuseart (Halbleiter) SOD-110 NXP Semiconductors Zener-Spannung 8.2 V Leistung (max) P(TOT) 400 mW

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 148466 - 62
Teile-Nr.: C8,2V ZB |  EAN: 2050000007187
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    • Typ: C8,2V ZB
    • Hersteller: NXP Semiconductors
    • Herst.-Abk.: NXP
    • Kategorie: Z-Diode
    • Z.-Spg. (UZ ): 8.2 V

    Zener-Diode Typ BZX 284 C

    Technische Daten

    Typ
    C8,2V ZB
    Hersteller
    NXP Semiconductors
    Herst.-Abk.
    NXP
    Kategorie
    Z-Diode
    Z.-Spg. (UZ )
    8.2 V
    Z.-Spg. Toleranz
    +5 %
    -5 %
    Ptot
    400 mW
    Impedanz
    6 Ω
    Impedanz Referenz
    5 mA
    UF
    0.9 V
    Durchlassspannung Referenz
    10 mA
    Betriebstemperatur (min.)
    -65 °C
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Konfiguration
    einfache Diode
    Rest-Sperrstrom
    700 µA
    Z.-Spg. max.
    8.7 V
    Z.-Spg. min.
    7.7 V
    Gehäuse
    SOD-110
    Montageart
    Oberflächenmontage

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Beschreibung

    Keramikgehäuse.
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