Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC808-25 SOT-23 PNP
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
25 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
BJT, SOT-23, 25V, 800mA, PNP
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-23
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 25 V
- DC Kollektorstrom - IC: 800 mA
- Polarität - pol: PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.310 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 250
- VCE: 1 V
- IC: 100 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
- IC: 500 mA
- IB: 50 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 50 MHz
- Typ
BC808-25
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
800 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
25 V
- VCE Sättigung (max.)
700 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.31 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
250
- Transitfrequenz f(T)
50 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809192 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC808-25 SOT-23 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809192 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC808-25 SOT-23 PNP
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