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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817-40R13 SOT-23 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
800 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
Datenblatt (PDF)
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750
-
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€ 0,02988
3750
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7500
15% = € 0,00
€ 0,02788
15000
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30000
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Highlights & Details
BJT, SOT-23, 45V, 800mA, NPN
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-23
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
- DC Kollektorstrom - IC: 800 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.310 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 400
- VCE: 1 V
- IC: 100 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
- IC: 500 mA
- IB: 50 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 50 MHz
- Typ
BC817-40R13
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
800 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
- VCE Sättigung (max.)
700 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.31 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
400
- Transitfrequenz f(T)
50 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809200 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817-40R13 SOT-23 NPN
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=BC817-40R13, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.3 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=400, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=45 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=700 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=800 mA, Leistungsverteilung (PV)=310 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101