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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC846PN-AQ SOT-363 NPN, PNP
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-363
Ausführung
NPN
PNP
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
Datenblatt (PDF)
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500
-
€ 0,06090
1500
9% = € 0,01
€ 0,05535
2500
13% = € 0,01
€ 0,05313
5000
15% = € 0,01
€ 0,05166
10000
17% = € 0,01
€ 0,05055
20000
20% = € 0,01
€ 0,04869
50000
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Highlights & Details
BJT, SOT-363, 65V, 100mA, NPN+PNP
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-363
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 65 V
- DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
- Polarität - pol: NPN+PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 280
- VCE: 5 V
- IC: 2 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 650 mV
- IC: 100 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 5 mA
- VCE: 10 V
- f: 10 MHz
- Typ
BC846PN-AQ
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-363
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
PNP
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
- VCE Sättigung (max.)
650 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
280
- Transitfrequenz f(T)
10 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809220 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC846PN-AQ SOT-363 NPN, PNP