Abbildung ähnlich
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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC846S SOT-363 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-363
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
750
-
€ 0,04847
2250
9% = € 0,00
€ 0,04405
3750
13% = € 0,01
€ 0,04228
7500
15% = € 0,01
€ 0,04111
15000
17% = € 0,01
€ 0,04023
30000
20% = € 0,01
€ 0,03875
75000
23% = € 0,01
€ 0,03728
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Min.: 750
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Highlights & Details
BJT, SOT-363, 65V, 100mA, NPN
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-363
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 65 V
- DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 270
- VCE: 5 V
- IC: 2 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 650 mV
- IC: 100 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 100 MHz
- Typ
BC846S
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-363
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
- VCE Sättigung (max.)
650 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
270
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809221 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC846S SOT-363 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809221 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC846S SOT-363 NPN