Abbildung ähnlich
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847PN SOT-363 NPN, PNP
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-363
Ausführung
NPN
PNP
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Anzahl
Min.: 750
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Highlights & Details
BJT, SOT-363, 45V, 100mA, NPN+PNP
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-363
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
- DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
- Polarität - pol: NPN+PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.200 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 300
- VCE: 1 V
- IC: 10 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 300 mV
- IC: 50 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 300 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 20 V
- f: 100 MHz
- Typ
BC847PN
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-363
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
PNP
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
- VCE Sättigung (max.)
300 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.2 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
300
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809236 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847PN SOT-363 NPN, PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809236 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847PN SOT-363 NPN, PNP
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